La Galleria delle Applicazioni raccoglie un'ampia varietà di tutorial e di app dimostrative realizzati con COMSOL Multiphysics in diversi ambiti applicativi, inclusi quelli elettrico, meccanico, fluidico e chimico. E' possibile scaricare i file dei modelli e delle app demo pronti all'uso e le istruzioni step-by-step per costruirli, e utilizzarli come punto di partenza per le proprie simulazioni.
Lo strumento di Ricerca Rapida permette di trovare i modelli che si riferiscono alla propria area di interesse.
Si noti che molti degli esempi qui presentati sono accessibili anche tramite le Librerie delle Applicazioni incorporate nel software COMSOL Multiphysics® e disponibili dal menu File.
This tutorial model solves the Gross–Pitaevskii Equation for the ground state of a Bose–Einstein condensate in a harmonic trap, using the Schrödinger Equation interface in the Semiconductor Module. The equation is essentially a nonlinear single-particle Schrödinger Equation, with a ... Per saperne di più
This model uses the Semiconductor and RF modules to describe a photoconductive antenna (PCA). A laser pulse is applied on the surface of undoped LT-GaAs to generate electron-hole-pairs, which move under the influence of an external E-field creating a transient electric current pulse. ... Per saperne di più
This tutorial analyzes the hysteresis of the conductance-gate-voltage (G-Vg) curves of an InAs nanowire FET, using the density-gradient theory to add the effect of quantum confinement to the conventional drift-diffusion formulation, without a large increase of computational costs. The ... Per saperne di più
This model shows how to model an electrolyte-gated organic field-effect transistor based on a general drift-diffusion model. The model uses the Stabilized Convection-Diffusion Equation interface and the Electrostatics interface. The transistor characteristics are visualized. Formation of ... Per saperne di più
For a description of this model, see our accompanying blog post "Can COMSOL Multiphysics® Solve the Hydrogen Atom?". Per saperne di più
This tutorial demonstrates the use of the density-gradient formulation to include the effect of quantum confinement in the device physics simulation of a silicon inversion layer. This formulation requires only a moderate increase of computational resources as compared to the conventional ... Per saperne di più
Surface acoustic phonons and surface roughness have an important effect on the carrier mobility, especially in the thin inversion layer under the gate in MOSFETs. The Lombardi surface mobility model adds surface scattering resulting from these effects to an existing mobility model using ... Per saperne di più